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Nexperia PDTC114YU-Q系列高性能数字晶体管

高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发

2025-04-27 308 Nexperia
JJW(捷捷微) JMH系列高压MOSFET(≥400V)

针对高电压、大功率应用场景设计，典型产品覆盖电压范围大于400V

2025-04-03 1113 JJW
Inventchip SiC系列MOSFET

高耐压和低导通电阻；高热传导系数和耐高温；快速开关速度

2024-11-16 1126 Inventchip
RGA80TRX2EHR 车规场截止沟槽绝缘栅双极晶体管（IGBT）

承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）

2024-11-01 705 ROHM Semiconductor
ROHM Field Stop Trench(场截止沟槽) IGBT

低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD

2024-08-10 246 ROHM Semiconductor
Infineon(英飞凌) IGBT7系列绝缘栅双极晶体管

低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度

2024-07-05 689 Infineon
Infineon(英飞凌) OptiMOS™ N沟道功率MOSFET

专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色

2024-06-21 5890 Infineon
Infineon(英飞凌) CoolSiC™系列碳化硅 MOSFET

提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用

2024-06-07 3514 Infineon
ROHM RQ3L060BG功率MOSFET

具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器

2024-03-23 468 ROHM Semiconductor
ROHM R60xxJNx 系列功率 MOSFET

一款具有快速反向恢复时间 (trr) 的功率 MOSFET

2023-12-15 5390 ROHM Semiconductor