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Diodes 集成功率MOSFET

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采用新型N和P通道器件,击穿电压高达450V

Diodes公司继续扩展其功率MOSFET产品组合,采用新型N和P通道器件,击穿电压高达450V,并提供多种封装选择。 Diodes Inc. MOSFET产品系列非常适合各种应用,包括DC-DC转换,负载开关,电机控制,背光,电池保护,电池充电器,音频电路和汽车。

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特征

低导通电阻

低栅极阈值电压

输入电容低

输入/输出泄漏低

切换速度快

应用

DC-DC转换

负载切换

电机控制

背光

电池保护

电池充电器

音频电路

汽车



Diodes 集成功率 MOSFET

图片
制造商零件编号
描述
可供货数量
操作
N-Channel 50 V 3.5 Ohm Enhancement Mode FET-SOT-23 -use Diodes BSS138-7-F
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