诺赛科（Innoscience）推出的 700V GaN-on-Silicon 增强模式功率晶体管包含TO-252/DFN8*8/TO-220等多种封装方式，是一款面向 高频率、高效率、高功率密度 电源转换应用的新型功率器件。其基于氮化镓（GaN）宽禁带半导体技术，相比传统硅基功率器件在开关速度、损耗控制、热管理等方面具有显著优势。

产品特性

• 增强模式（E-mode）： 常关型功率开关，易于驱动，兼容传统硅MOSFET驱动方案

• 超高频开关能力： 支持MHz级开关频率，适用于高功率密度设计

• 零反向恢复电荷（Qrr = 0）： 无体二极管反向恢复损耗，显著降低开关损耗

• 低栅极电荷（Qg = 1.5 nC）： 降低驱动损耗，提升系统效率

• 低输出电荷（Qoss = 13 nC）： 减少开关过程中的能量损失

• ESD防护： 提升器件在制造与装配过程中的可靠性

• 符合工业标准： 符合JEDEC标准，RoHS、无铅、REACH合规

• 工作温度范围： -55℃~150℃

700V 耐压的优势

相比 650V GaN 或硅MOSFET，700V 耐压提供更高的 电压裕量，在电网波动或开关尖峰条件下更具可靠性。

适用于 宽输入电压范围 的应用（如全球通用适配器、工业电源）。

零反向恢复电荷（Qrr = 0）

传统硅MOSFET 存在体二极管反向恢复问题，导致硬开关拓扑中产生额外损耗与EMI。

GaN HEMT 无体二极管，Qrr = 0，在 LLC、AHB、ACF 等谐振或软开关拓扑中可显著降低开关损耗，提升效率。

超高频开关能力

低栅极电荷（Qg = 1.5 nC）与低输出电荷（Qoss = 13 nC）使其支持 MHz 级开关频率。

高频开关可 缩小变压器、电感等磁性元件尺寸，提升功率密度，适合 小型化适配器、快充、LED驱动 等空间受限应用。

产品应用

• 功率因数校正（PFC）： DCM / BCM PFC 拓扑

• DC-DC 转换器： AHB、LLC、QR Flyback、ACF 等拓扑

• LED 驱动： 高效率、高功率密度 LED 照明电源

• 快速充电器： 手机、笔记本、平板等快充适配器

• 电源适配器： 笔记本、AIO（一体机）电源

• 消费电子电源： 台式机电源、ATX、电视电源、电动工具电源