首页 > 新品资讯 > > Infineon 第六代CoolSiC™ 650V SiC肖特基二极管

Infineon 第六代CoolSiC™ 650V SiC肖特基二极管

订阅可获得最新品牌资讯,品牌资源和促销活动等,已有14人订阅
+订阅 已订阅
专为匹配英飞凌600V/650V CoolMOS™ 7系列MOSFET设计,高效率、高可靠性和高功率密度

Infineon第六代CoolSiC™ 650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管,该产品采用英飞凌最新的G6技术平台,在前代G5技术基础上进一步优化,引入新型肖特基金属系统,显著提升了整体性能。该二极管专为匹配英飞凌600V/650V CoolMOS™ 7系列MOSFET设计,可满足高要求应用场景中对高效率、高可靠性和高功率密度的需求。

upfile

特性:

  • 优异的电气性能:低导通压降:仅1.25 V;高反向耐压:VRRM = 650 V,适用于工业级应用

  • 卓越的热性能:-55℃~175℃工作温度;低热阻;高连续电流能力

  • 系统级优势:提升系统效率;降低散热需求;支持更高功率密度设计

应用领域:

开关电源(SMPS)中的功率因数校正(PFC)电路;太阳能逆变器;不间断电源(UPS);工业电机驱动;电动汽车充电模块


Infineon 第六代CoolSiC™ SiC肖特基二极管

图片
制造商零件编号
描述
可供货数量
操作

最新资讯

制造商:
查看详情

热门资讯

下一篇:

Lelon(立隆) 高分子固态铝电解电容系列(OP-CAP)