首页 > 新品资讯 > > IV3Q12035T4Z 汽车级第三代SiC MOSFET

IV3Q12035T4Z 汽车级第三代SiC MOSFET

订阅可获得最新品牌资讯,品牌资源和促销活动等,已有1人订阅
+订阅 已订阅
先进G3 SiC技术,优异的开关性能与高温稳定性

IV3Q12035T4Z 是瞻芯电子(InventChip) 推出的第三代(Gen3)1200V 35mΩ SiC MOSFET,专为高可靠性汽车电子及工业应用设计。该产品采用先进的G3 SiC技术,支持15V-18V宽范围栅极驱动,具备优异的开关性能与高温稳定性,适用于高频、高压、高温环境下的功率转换系统。

upfile

特性:

u第三代SiC MOSFET技术

l低导通电阻:25°C时静态导通电阻低至35mΩ,175°C时仅上升至61mΩ,高温性能稳定。

l高速开关:低栅极电荷与极低反向传输电容,显著降低开关损耗

l高温耐受:支持-55°C~175°C宽工作温度范围,结温最高达175°C。

u封装优化设计

l开尔文源极引脚:独立驱动回路(Pin 3)与功率回路(Pin 2),减少寄生电感,提升高频开关效率。

l增强散热能力:热阻低至0.52°C/W,搭配TO247封装,支持高功率密度设计。

l焊接友好:引脚间距优化,降低短路风险,适配自动化生产

u汽车级可靠性

lAEC-Q101认证

l抗浪涌能力

l宽驱动兼容性

典型应用:

新能源汽车:主驱电机控制器、车载充电机(OBC)、DC/DC变换器。

可再生能源:光伏逆变器、储能系统双向变流器。

工业电源:高频开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)。

轨道交通:牵引变流器、辅助供电系统

inventchip SiC MOSFET产品推荐

图片
制造商零件编号
描述
可供货数量
操作

最新资讯

制造商:
查看详情

热门资讯

下一篇:

ROHM BD1422xG-C系列高精度电流检测放大器