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ROHM SiC肖特基势垒二极管(SiC SBD)

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低开关损耗且高速开关工作,它被广泛用于电源的PFC电路中

SiC肖特基势垒二极管(SiC SBD)具有很小的总电荷(Qc),低开关损耗且高速开关工作。因此,它被广泛用于电源的PFC电路中。此外,与硅基快恢复二极管的trr(反向恢复时间)会随温度的升高而增加不同,碳化硅(SiC)器件可保持恒定的特性,从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸,非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。罗姆已发布的第3代SiC SBDSCS3系列能够提供更大的浪涌电流容量,同时还能进一步降低第2代SBD的正向电压。

upfile

特性:

  • 低开关损耗

  • 对温度的依赖性更低

  • 更快的恢复速度

  • 快速开关性能

  • 封装:TO-247、TO-220FM和TO-220ACP等

应用:

开关电源UPS;太阳能逆变器;EV充电器

ROHM SiC肖特基势垒二极管型号推荐

图片
制造商零件编号
描述
可供货数量
操作
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC
163
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220AC
200
DIODES SILICON CARBIDE
995
DIODES SILICON CARBIDE
1000

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