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Panjit 无线充电方案设计用MOSFET

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低开关损耗、高开关频率操作、低工作温度和低栅极驱动损耗

PANJIT 功率 MOSFET 为无线充电器正常高效工作提供了先进的解决方案。panjit 功率 MOSFET 采用薄型封装,可节省空间,同时提供类似的导通电阻和热阻。 这些器件具有低开关损耗、高开关频率操作、低工作温度和低栅极驱动损耗的特点。 功率 MOSFET 非常适用于无线充电板、无线充电插座、无线充电盒和无线充电站。

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特性:

  • 低品质因数

  • 额定逻辑电平:4.5V

  • 低开关损耗

  • 高开关频率操作

  • 低栅极驱动损耗

  • 多种封装:SOT-23;SOP-8等

应用:

无线充电垫无线充电插座无线充电盒无线充电站


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