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WINSOK WSP4953A P沟道 MOSFET

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具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷

WSP4953A是性能优异的沟道P-ch MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷WSP4953A符合RoHS和绿色产品要求,并获得全功能可靠性认证。

upfile

特性:

  • 先进的高电池密度沟渠技术

  • 超低栅极电荷

  • 卓越的CdV/dt效应下降

  • VDS:-30V;VGS:±20V;ID:-5.8A

  • RDS(ON)=85mΩ@-3.5A,-4.5V

  • 工作温度:-55℃~150℃

应用:

MB/NB/UMPC/VGA高频点负载同步Buck变换器DC-DC电源系统;负载开关等

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