SQD30N05-20L_GE3 与 IPD30N06S2L23ATMA3 区别
| 型号 | SQD30N05-20L_GE3 | IPD30N06S2L23ATMA3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SQD30N05-20L_GE3 | A-IPD30N06S2L23ATMA3 |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 100W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 16mΩ | - |
| 上升时间 | 10ns | - |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Qg-栅极电荷 | 18nC | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1091pF @ 25V |
| 栅极电压Vgs | 1.5V | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 34S | - |
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252(DPAK) |
| 连续漏极电流Id | 30A | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 42nC @ 10V |
| 配置 | Single | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 23 毫欧 @ 22A,10V |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4.5V,10V |
| 下降时间 | 5ns | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 55V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 50W | - |
| 典型关闭延迟时间 | 18ns | - |
| FET类型 | - | N 通道 |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2V @ 50uA |
| 系列 | SQ | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 30A(Tc) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 55V |
| 典型接通延迟时间 | 7ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQD30N05-20L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
30A 50W 16mΩ 55V 1.5V TO-252 -55°C~175°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IPD30N06S2L23ATMA3 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~175°C(TJ) TO-252(DPAK) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRFR2607ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 75V 42A(Tc) 22mΩ@30A,10V DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BUK7210-55B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 167W 185°C 3V 55V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AUIRLR2905TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 55V 42A(Tc) ±16V 110W(Tc) 27mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRLR3105TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 57W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 37mΩ@15A,10V N-Channel 55V 25A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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