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SQD30N05-20L_GE3  与  IPD30N06S2L23ATMA1  区别

型号 SQD30N05-20L_GE3 IPD30N06S2L23ATMA1
唯样编号 A-SQD30N05-20L_GE3 A-IPD30N06S2L23ATMA1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 100W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 16mΩ -
上升时间 10ns -
产品特性 车规 -
Qg-栅极电荷 18nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1091pF @ 25V
栅极电压Vgs 1.5V -
正向跨导 - 最小值 34S -
封装/外壳 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 30A -
工作温度 -55°C~175°C -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 42nC @ 10V
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 23 毫欧 @ 22A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 5ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 50W -
典型关闭延迟时间 18ns -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 50uA
系列 SQ -
通道数量 1Channel -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 30A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 55V
典型接通延迟时间 7ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQD30N05-20L_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

30A 50W 16mΩ 55V 1.5V TO-252 -55°C~175°C 车规

暂无价格 0 当前型号
IPD30N06S223ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N06S2-23_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD30N06S2-23 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N06S223ATMA2_23mΩ 55V 30A PG-TO252-3-11 N-Channel 2.1V,4V

暂无价格 0 对比
IPD30N06S2L23ATMA3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N06S2L-23_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
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IPD30N06S2L23ATMA3_55V 30A DPAK (TO-252) 30mΩ N-Channel 1.2V,2V

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IPD30N06S2L23ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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