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SQD30N05-20L_GE3  与  IRFR2607ZTRPBF  区别

型号 SQD30N05-20L_GE3 IRFR2607ZTRPBF
唯样编号 A-SQD30N05-20L_GE3 A-IRFR2607ZTRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16mΩ 22mΩ@30A,10V
上升时间 10ns -
漏源极电压Vds 55V 75V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 50W -
Qg-栅极电荷 18nC -
栅极电压Vgs 1.5V -
典型关闭延迟时间 18ns -
正向跨导 - 最小值 34S -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252 DPAK
连续漏极电流Id 30A 42A(Tc)
工作温度 -55°C~175°C -
系列 SQ -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
下降时间 5ns -
典型接通延迟时间 7ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1440pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 51nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQD30N05-20L_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

30A 50W 16mΩ 55V 1.5V TO-252 -55°C~175°C 车规

暂无价格 0 当前型号
IRFR2607ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 75V 42A(Tc) 22mΩ@30A,10V DPAK

暂无价格 0 对比
BUK7210-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7210-55B_SOT428 N-Channel 167W 185℃ 3V 55V 75A

¥13.628 

阶梯数 价格
400: ¥13.628
1,000: ¥10.0948
1,250: ¥7.8866
2,500: ¥6.4644
0 对比

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