SQD30N05-20L_GE3 与 IRFR2607ZTRPBF 区别
| 型号 | SQD30N05-20L_GE3 | IRFR2607ZTRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SQD30N05-20L_GE3 | A-IRFR2607ZTRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 16mΩ | 22mΩ@30A,10V |
| 上升时间 | 10ns | - |
| 漏源极电压Vds | 55V | 75V |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 50W | - |
| Qg-栅极电荷 | 18nC | - |
| 栅极电压Vgs | 1.5V | - |
| 典型关闭延迟时间 | 18ns | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 34S | - |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252 | DPAK |
| 连续漏极电流Id | 30A | 42A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~175°C | - |
| 系列 | SQ | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 配置 | Single | - |
| 下降时间 | 5ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 7ns | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 50µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1440pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 51nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQD30N05-20L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
30A 50W 16mΩ 55V 1.5V TO-252 -55°C~175°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRFR2607ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 75V 42A(Tc) 22mΩ@30A,10V DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BUK7210-55B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 167W 185°C 3V 55V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
AUIRLR2905TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 55V 42A(Tc) ±16V 110W(Tc) 27mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRLR3105TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 57W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 37mΩ@15A,10V N-Channel 55V 25A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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