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SQD30N05-20L_GE3  与  IPD30N06S2L-23  区别

型号 SQD30N05-20L_GE3 IPD30N06S2L-23
唯样编号 A-SQD30N05-20L_GE3 A-IPD30N06S2L-23
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16mΩ 30mΩ
上升时间 10ns -
漏源极电压Vds 55V 55V
产品特性 车规 -
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 50W -
Qg-栅极电荷 18nC -
栅极电压Vgs 1.5V 1.2V,2V
典型关闭延迟时间 18ns -
正向跨导 - 最小值 34S -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252 DPAK (TO-252)
连续漏极电流Id 30A 30A
工作温度 -55°C~175°C -
RthJC max - 1.5 K/W
系列 SQ -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
QG (typ @10V) - 33.0 nC
Ptot max - 100.0W
下降时间 5ns -
典型接通延迟时间 7ns -
Budgetary Price €€/1k - 0.27
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQD30N05-20L_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

30A 50W 16mΩ 55V 1.5V TO-252 -55°C~175°C 车规

暂无价格 0 当前型号
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