SQM120N10-3M8_GE3 与 PSMN4R8-100BSEJ 区别
| 型号 | SQM120N10-3M8_GE3 | PSMN4R8-100BSEJ |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SQM120N10-3M8_GE3 | A-PSMN4R8-100BSEJ |
| 制造商 | Vishay | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 产品特性 | 车规 | - |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 375W | 405W |
| 输出电容 | - | 674pF |
| 栅极电压Vgs | - | 3V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263 | SOT404 |
| 工作温度 | - | 175°C |
| 连续漏极电流Id | - | 120A |
| 输入电容 | - | 10665pF |
| 电压 | 100V | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 4.8mΩ@10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 829 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQM120N10-3M8_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 375W 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
PSMN4R8-100BSEJ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 405W 175°C 3V 100V 120A |
暂无价格 | 829 | 对比 |
|
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PSMN4R8-100BSEJ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 405W 175°C 3V 100V 120A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRLS4030PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AOB2904 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V 20V 120A 326W 4.4mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
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BUK764R2-80E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 324W 175°C 3V 80V 120A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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