SQM120N10-3M8_GE3 与 IRLS4030PBF 区别
| 型号 | SQM120N10-3M8_GE3 | IRLS4030PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SQM120N10-3M8_GE3 | A-IRLS4030PBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 100 V 370 W 87 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 4.3mΩ@110A,10V |
| 产品特性 | 车规 | - |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 375W | 370W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±16V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263 | D2PAK |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 180A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 11360pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 130nC @ 4.5V |
| 电压 | 100V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 11360pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 130nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQM120N10-3M8_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 375W 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
PSMN4R8-100BSEJ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 405W 175°C 3V 100V 120A |
暂无价格 | 829 | 对比 |
|
|
PSMN4R8-100BSEJ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 405W 175°C 3V 100V 120A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRLS4030PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AOB2904 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V 20V 120A 326W 4.4mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
BUK764R2-80E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 324W 175°C 3V 80V 120A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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