PJA3406_R1_00001 与 FDN357N 区别
| 型号 | PJA3406_R1_00001 | FDN357N | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PJA3406_R1_00001 | A36-FDN357N-1 | ||
| 制造商 | Panjit | ON Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 1.25W | 500mW(Ta) | ||
| 功率 | - | 500mW(Ta) | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SuperSOT | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 4.4A | 1.9A | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 235pF @ 10V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.9nC @ 5V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 导通电阻Rds(On) | 48mΩ@4.4A,10V | 60 毫欧 @ 2.2A,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 235pF @ 10V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.9nC @ 5V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 1 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PJA3406_R1_00001 | Panjit | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 ±20V 48mΩ@4.4A,10V N-Channel 1.25W -55°C~150°C 30V 4.4A |
￥0.4735
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0 | 当前型号 | ||||||||||||
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FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) |
暂无价格 | 15,000 | 对比 | |||||||||||||
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RQ5E025SNTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.5A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 700mW(Ta) SC-96 150°C(TJ) 30V |
￥1.7554
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7,450 | 对比 | ||||||||||||
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FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) |
￥1.248
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3,006 | 对比 | |||||||||||||
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DMG3406L-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 770mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.6A(Ta) |
暂无价格 | 8 | 对比 | ||||||||||||
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FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) |
暂无价格 | 1 | 对比 |
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