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PJA3406_R1_00001  与  FDN357N  区别

型号 PJA3406_R1_00001 FDN357N
唯样编号 A-PJA3406_R1_00001 A3-FDN357N
制造商 Panjit ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 48mΩ@4.4A,10V 60 毫欧 @ 2.2A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W 500mW(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 SuperSOT
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.4A 1.9A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 235pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.9nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 235pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.9nC @ 5V
库存与单价
库存 0 12,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
1,000+ :  ¥0.4735
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJA3406_R1_00001 Panjit  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 ±20V 48mΩ@4.4A,10V N-Channel 1.25W -55℃~150℃ 30V 4.4A

¥0.4735 

阶梯数 价格
1,000: ¥0.4735
0 当前型号
FDN357N ON Semiconductor 通用MOSFET

1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 12,000 对比
DMG3406L-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 770mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.6A(Ta)

¥0.6193 

阶梯数 价格
90: ¥0.6193
100: ¥0.5044
500: ¥0.4589
2,500: ¥0.4251
5,000: ¥0.3965
10,000: ¥0.364
10,613 对比
FDN357N ON Semiconductor 通用MOSFET

1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C ~ 150°C(TJ)

¥1.562 

阶梯数 价格
40: ¥1.562
100: ¥1.199
750: ¥1.0043
1,500: ¥0.9119
3,000: ¥0.847
7,388 对比
RQ5E025SNTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2.5A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 700mW(Ta) SC-96 150℃(TJ) 30V

¥2.1369 

阶梯数 价格
80: ¥2.1369
100: ¥1.5716
300: ¥1.1883
500: ¥1.1212
1,000: ¥1.0637
2,990 对比
IRLML2030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 100mΩ@2.7A,10V N-Channel 30V 2.7A Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比

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