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PJA3476_R1_00001  与  BSS119N H6327  区别

型号 PJA3476_R1_00001 BSS119N H6327
唯样编号 A-PJA3476_R1_00001 A-BSS119N H6327
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.406Ω
上升时间 - 3.3ns
漏源极电压Vds - 100V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 500mW(1/2W)
Qg-栅极电荷 - 600pC
栅极电压Vgs 20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 350mS
典型关闭延迟时间 - 7ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 -
连续漏极电流Id - 190mA
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - BSS119
长度 - 2.9mm
通道数 Single -
Rds On(max)@Id,Vgs 9000mΩ@4.5V -
下降时间 - 18.8ns
典型接通延迟时间 - 2.7ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJA3476_R1_00001 Panjit  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 20V N-Channel

暂无价格 0 当前型号
BSS123-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 170mA 300mW 6Ω@170mA,10V 100V ±20V N-Channel

¥0.6248 

阶梯数 价格
90: ¥0.6248
200: ¥0.285
1,500: ¥0.1785
3,000: ¥0.141
29,559 对比
BSS123-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 170mA 300mW 6Ω@170mA,10V 100V ±20V N-Channel

暂无价格 0 对比
BSS119N Infineon  数据手册 小信号MOSFET

100V 0.19A SOT-23 10000mΩ 1.3V,2.3V 车规

暂无价格 0 对比
BSS123-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 170mA 300mW 6Ω@170mA,10V 100V ±20V N-Channel

暂无价格 0 对比
BSS119N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS119NH6327XTSA1_100V 190mA 2.406Ω 20V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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