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SQSA80ENW-T1_GE3  与  BUK9M28-80EX  区别

型号 SQSA80ENW-T1_GE3 BUK9M28-80EX
唯样编号 A-SQSA80ENW-T1_GE3 A-BUK9M28-80EX
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 21mΩ -
上升时间 2ns -
漏源极电压Vds 80V 80V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 62.5W 75W
Qg-栅极电荷 17nC -
输出电容 - 131pF
栅极电压Vgs 2V ±10V
典型关闭延迟时间 19ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PowerPAK-1212-8 SOT1210
连续漏极电流Id 18A 33A
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C
系列 SQ -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
输入电容 - 1711pF
Rds On(max)@Id,Vgs - 25mΩ@10A,10V
下降时间 5ns -
典型接通延迟时间 9ns -
库存与单价
库存 25 30
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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18A 62.5W 21mΩ 80V 2V PowerPAK-1212-8 N-Channel -55°C~175°C 车规

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