SI2347DS-T1-GE3 与 PMV50XP/S420 区别
| 型号 | SI2347DS-T1-GE3 | PMV50XP/S420 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI2347DS-T1-GE3 | A3t-PMV50XP/S420 |
| 制造商 | Vishay | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | P-Channel 30 V 42 mOhm 22 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 42mΩ@-3.8A,-10V | - |
| 漏源极电压Vds | -30V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.2W(Ta),1.7W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | -3.9A | - |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 705pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 30 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI2347DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.2W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -3.9A 42mΩ@-3.8A,-10V -30V |
暂无价格 | 30 | 当前型号 |
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PMV50XP | Nexperia | 通用MOSFET |
P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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PMV50XP/S420 | Nexperia | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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PMV50XP/S469 | Nexperia | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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PMV50XPR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 0.49W -55°C~150°C ±12V -20V -4.4A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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PMV50XPR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 0.49W -55°C~150°C ±12V -20V -4.4A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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