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SQJ422EP-T1_GE3  与  BUK9Y4R4-40E,115  区别

型号 SQJ422EP-T1_GE3 BUK9Y4R4-40E,115
唯样编号 A-SQJ422EP-T1_GE3 A-BUK9Y4R4-40E,115
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-CH 40-V PPAK SO-8L MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 83W(Tc) 147W
漏源极电压Vds 2V 40V
产品特性 车规 -
输出电容 - 422pF
栅极电压Vgs ±20V ±10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PowerPak-6 SOT669
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 75A 100A
系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4660pF @ 20V -
输入电容 - 3058pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
导通电阻Rds(On) 3.4mΩ 3.7mΩ@25A,10V
库存与单价
库存 105 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQJ422EP-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 83W(Tc) -55°C~175°C(TJ) PowerPak-6 N-Channel 75A 3.4mΩ 2V 车规

暂无价格 105 当前型号
BUK9Y4R4-40E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 3.7mΩ@25A,10V 147W -55°C~175°C ±10V 40V 100A

暂无价格 0 对比

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