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SQD50P04-13L_GE3  与  AOD413A  区别

型号 SQD50P04-13L_GE3 AOD413A
唯样编号 A-SQD50P04-13L_GE3 A36-AOD413A
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 SQD50P04-13L Series P-Channel 40 V 13 mOhms 83 W SMT Power Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 68
宽度 6.22mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 10mΩ 44mΩ@-12A,-10V
上升时间 12ns -
产品特性 车规 -
Rds On(Max)@4.5V - 66mΩ
Qg-栅极电荷 80nC -
Qgd(nC) - 3.5
栅极电压Vgs 2.5V ±20V
正向跨导 - 最小值 61S -
Td(on)(ns) - 6.2
封装/外壳 TO-252 TO-252
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 50A -12A
配置 Single -
Ciss(pF) - 900
长度 6.73mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 16ns -
高度 2.38mm -
Trr(ns) - 21.2
Td(off)(ns) - 44.8
漏源极电压Vds 40V -40V
Pd-功率耗散(Max) 136W 50W
Qrr(nC) - 13.8
VGS(th) - -3
典型关闭延迟时间 40ns -
FET类型 - P-Channel
系列 SQ -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3590pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 90nC @ 10V -
典型接通延迟时间 10ns -
Coss(pF) - 97
Qg*(nC) - 7.2
库存与单价
库存 0 13,501
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥1.188
100+ :  ¥0.9108
1,250+ :  ¥0.7722
2,500+ :  ¥0.715
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQD50P04-13L_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-252 50A 136W 10mΩ 40V 2.5V 车规

暂无价格 0 当前型号
AOD4185 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -40V ±20V -40A 62.5W 15mΩ@-20A,-10V -55°C~175°C

¥1.914 

阶梯数 价格
30: ¥1.914
100: ¥1.474
1,250: ¥1.276
2,500: ¥1.21
23,111 对比
AOD413A AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -40V ±20V -12A 50W 44mΩ@-12A,-10V -55°C~175°C

¥1.188 

阶梯数 价格
50: ¥1.188
100: ¥0.9108
1,250: ¥0.7722
2,500: ¥0.715
13,501 对比
AOD4185L AOS 功率MOSFET

40A(Tc) P-Channel ±20V 15 mΩ @ 20A,10V TO-252,(D-Pak) 62.5W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 40V

暂无价格 1 对比
AOD4185 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -40V ±20V -40A 62.5W 15mΩ@-20A,-10V -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
AOD4185L AOS 功率MOSFET

40A(Tc) P-Channel ±20V 15 mΩ @ 20A,10V TO-252,(D-Pak) 62.5W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 40V

暂无价格 0 对比

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