GSIB2560-E3/45 与 IRLB3034PBF 区别
| 型号 | GSIB2560-E3/45 | IRLB3034PBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-GSIB2560-E3/45-1 | A-IRLB3034PBF | ||
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 整流桥 | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Single N-Channel 40 V 375 W 108 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 宽度 | - | 4.4mm | ||
| 上升时间 | - | 827ns | ||
| Qg-栅极电荷 | - | 108nC | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 286S | ||
| 封装/外壳 | 4-SIP,GSIB-5S | TO-220AB | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C | ||
| 连续漏极电流Id | - | 343A | ||
| 配置 | - | Single | ||
| 长度 | - | 10mm | ||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 4.5V,10V | ||
| 下降时间 | - | 355ns | ||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 10315pF @ 25V | ||
| 导通电阻Rds(On) | - | 1.7mΩ@195A,10V | ||
| 高度 | - | 15.65mm | ||
| 功率耗散Pd | - | 375W | ||
| 技术 | 标准 | - | ||
| 漏源极电压Vds | - | 40V | ||
| 典型关闭延迟时间 | - | 97ns | ||
| FET类型 | - | N-Channel | ||
| 反向漏电流Ir | 10uA @ 600V | - | ||
| 电压-峰值反向(最大值) | 600V | - | ||
| 系列 | - | HEXFET® | ||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 250µA | ||
| 正向电压Vf | 1V @ 12.5A | - | ||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 10315pF @ 25V | ||
| 二极管类型 | Single Phase | - | ||
| 正向电流If | 3.5A | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 162nC @ 4.5V | ||
| 典型接通延迟时间 | - | 65ns | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 162nC @ 4.5V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 14 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价(含税) |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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GSIB2560-E3/45 | Vishay | 数据手册 | 整流桥 |
4-SIP,GSIB-5S -55°C~150°C(TJ) 1V @ 12.5A 3.5A |
¥7.3986
|
14 | 当前型号 | ||||
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GSIB2060-E3/45 | Vishay | 数据手册 | 整流桥 |
4-SIP,GSIB-5S -55°C~150°C(TJ) 1V @ 10A 3.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
DFB2560 | ON Semiconductor | 整流二极管 |
1.1V@25A 10uA@600V 600V 25A -55°C~150°C(TJ) 4-SIP,TS-6P TS-6P |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||
|
IRLB3034PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C TO-220AB 40V 343A 1.7mΩ@195A,10V ±20V 375W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |