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SQD15N06-42L_GE3  与  IPD350N06LGBTMA1  区别

型号 SQD15N06-42L_GE3 IPD350N06LGBTMA1
唯样编号 A36-SQD15N06-42L_GE3 A-IPD350N06LGBTMA1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 68W(Tc)
上升时间 10ns -
产品特性 车规 -
Qg-栅极电荷 15nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 800pF @ 30V
栅极电压Vgs 1.5V -
正向跨导 - 最小值 11S -
封装/外壳 TO-252 TO-252
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 15A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 5V
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 35 毫欧 @ 29A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 8ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 535pF @ 25V -
导通电阻Rds(On) 36mΩ -
功率耗散Pd 37W -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
典型关闭延迟时间 13ns -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 28uA
系列 SQ -
通道数量 1Channel -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 29A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
典型接通延迟时间 5ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
库存与单价
库存 4,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.936
100+ :  ¥3.264
1,000+ :  ¥2.964
2,000+ :  ¥2.844
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQD15N06-42L_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 15A 37W 36mΩ 60V 1.5V TO-252 车规

¥3.936 

阶梯数 价格
20: ¥3.936
100: ¥3.264
1,000: ¥2.964
2,000: ¥2.844
4,000 当前型号
RSD150N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥5.5674 

阶梯数 价格
30: ¥5.5674
50: ¥4.6092
100: ¥4.0055
140 对比
IPD350N06LGBTMA1 Infineon  数据手册 通用MOSFET

N 通道 -55°C~175°C(TJ) TO-252

暂无价格 0 对比
RSD150N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

暂无价格 0 对比
IRFR4105TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 45mΩ@16A,10V N-Channel 55V 27A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRLR3105TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 57W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 37mΩ@15A,10V N-Channel 55V 25A D-Pak

暂无价格 0 对比

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