SQD15N06-42L_GE3 与 RSD150N06TL 区别
| 型号 | SQD15N06-42L_GE3 | RSD150N06TL | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-SQD15N06-42L_GE3 | A33-RSD150N06TL | ||||||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 15A CPT3 | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 20W(Tc) | ||||||||||||||
| 上升时间 | 10ns | - | ||||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 15nC | - | ||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 930pF @ 10V | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 1.5V | - | ||||||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 11S | - | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | CPT3 | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 15A | - | ||||||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 40 毫欧 @ 15A,10V | ||||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V | ||||||||||||||
| 下降时间 | 8ns | - | ||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 535pF @ 25V | - | ||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 36mΩ | - | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 37W | - | ||||||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | - | ||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 13ns | - | ||||||||||||||
| FET类型 | - | N 通道 | ||||||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 3V @ 1mA | ||||||||||||||
| 系列 | SQ | - | ||||||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 15A(Ta) | ||||||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 60V | ||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 5ns | - | ||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 10V | - | ||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 18nC @ 10V | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 4,000 | 140 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 28 - 35天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SQD15N06-42L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 15A 37W 36mΩ 60V 1.5V TO-252 车规 |
￥3.936
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4,000 | 当前型号 | ||||||||||
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RSD150N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥5.5674
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140 | 对比 | ||||||||||
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IPD350N06LGBTMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~175°C(TJ) TO-252 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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RSD150N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRFR4105TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 45mΩ@16A,10V N-Channel 55V 27A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRLR3105TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 57W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 37mΩ@15A,10V N-Channel 55V 25A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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