SQD15N06-42L_GE3 与 IRLR3105TRPBF 区别
| 型号 | SQD15N06-42L_GE3 | IRLR3105TRPBF | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SQD15N06-42L_GE3 | A-IRLR3105TRPBF | ||||||||
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | N-Channel 55 V 37 mOhm 13.3 nC Surface Mount Logic Level Mosfet - DPAK | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 上升时间 | 10ns | - | ||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | 15nC | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 1.5V | ±16V | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 11S | - | ||||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 5V | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | D-Pak | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 15A | 25A | ||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 5V,10V | ||||||||
| 下降时间 | 8ns | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 535pF @ 25V | 710pF @ 25V | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 36mΩ | 37mΩ@15A,10V | ||||||||
| 功率耗散Pd | 37W | 57W(Tc) | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 55V | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 13ns | - | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 系列 | SQ | HEXFET® | ||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 710pF @ 25V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 20nC @ 5V | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | 5ns | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 10V | 20nC @ 5V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 4,000 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SQD15N06-42L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 15A 37W 36mΩ 60V 1.5V TO-252 车规 |
￥3.936
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4,000 | 当前型号 | ||||||||||
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RSD150N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥5.5674
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140 | 对比 | ||||||||||
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IPD350N06LGBTMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~175°C(TJ) TO-252 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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RSD150N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRFR4105TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 45mΩ@16A,10V N-Channel 55V 27A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRLR3105TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 57W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 37mΩ@15A,10V N-Channel 55V 25A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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