尊敬的客户:中秋节9-25至9-27我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > BUK9Y19-100E,115代替型号比较

BUK9Y19-100E,115  与  SQJ114ELP-T1_GE3  区别

型号 BUK9Y19-100E,115 SQJ114ELP-T1_GE3
唯样编号 A36-BUK9Y19-100E,115 A3t-SQJ114ELP-T1_GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT669 PowerPAK® SO-8L
功率耗散Pd 167W 115W
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C
连续漏极电流Id 56A 58A
漏源极电压Vds 100V 100V
输入电容 3814pF -
导通电阻Rds(On) 18mΩ@15A,10V 12.1mΩ@15A,10V
输出电容 222pF -
栅极电压Vgs ±10V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 1,500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥4.26
100+ :  ¥3.552
750+ :  ¥3.228
1,500+ :  ¥3.096
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK9Y19-100E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 18mΩ@15A,10V 167W -55°C~175°C ±10V 100V 56A

¥4.26 

阶梯数 价格
20: ¥4.26
100: ¥3.552
750: ¥3.228
1,500: ¥3.096
1,500 当前型号
SQJ114ELP-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

12.1mΩ@15A,10V ±20V PowerPAK® SO-8L -55°C~175°C 58A 100V 115W N-Channel

暂无价格 0 对比
SQJ402EP-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 83W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SO-8L-4 N-Channel 32A 11mΩ 2V 车规

暂无价格 0 对比
SQJ114ELP-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

12.1mΩ@15A,10V ±20V PowerPAK® SO-8L -55°C~175°C 58A 100V 115W N-Channel

暂无价格 0 对比
SQJ402EP-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 83W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SO-8L-4 N-Channel 32A 11mΩ 2V 车规

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>
在
线
销
售

在线销售