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BUK7S1R5-40HJ  与  SQJQ148E-T1_GE3  区别

型号 BUK7S1R5-40HJ SQJQ148E-T1_GE3
唯样编号 A3n-BUK7S1R5-40HJ A3t-SQJQ148E-T1_GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 BUK7S1R5-40H/SOT1235/LFPAK88
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 325W(Tc)
功率耗散(最大值) 242W(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
产品特性 车规 车规
漏源极电压Vds - 40V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6712 pF @ 25 V -
Vgs(th) - 3.5V @ 250uA
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 93 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT1235 PowerPAK® 8 x 8
等级 汽车级 -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.6V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 375A(Tc)
资质 AEC-Q101 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.5 毫欧 @ 25A,10V -
Vgs(最大值) +20V,-10V ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 260A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 40 V -
导通电阻Rds(On) - 1.6 mOhms @ 20A,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
2,000+ :  ¥7.9113
4,000+ :  ¥7.5948
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK7S1R5-40HJ Nexperia  数据手册 通用MOSFET

-55°C~175°C(TJ) N 通道 车规 SOT1235

¥7.9113 

阶梯数 价格
2,000: ¥7.9113
4,000: ¥7.5948
0 当前型号
SQJQ148ER-T1_GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

PowerPAK® 8 x 8LR -55°C~175°C 372A 1.5mΩ@20A,10V 40V 394W ±20V N-Channel 车规

暂无价格 0 对比
SQJQ148ER-T1_GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

PowerPAK® 8 x 8LR -55°C~175°C 372A 1.5mΩ@20A,10V 40V 394W ±20V N-Channel 车规

暂无价格 0 对比
SQJQ148E-T1_GE3 Vishay 通用MOSFET

375A(Tc) N-Channel 1.6 mOhms @ 20A,10V 325W(Tc) PowerPAK® 8 x 8 -55°C~175°C 40V 车规

暂无价格 0 对比

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