BUK9Y15-100E,115 与 SQJ402EP-T1_GE3 区别
| 型号 | BUK9Y15-100E,115 | SQJ402EP-T1_GE3 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3n-BUK9Y15-100E,115 | A3t-SQJ402EP-T1_GE3 | ||||
| 制造商 | Nexperia | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56 | SQJ402EP Series 100 V 32 A SMT Automotive N-Channel Mosfet - PowerPAK® SO-8L | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 195W | 83W(Tc) | ||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 2V | ||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||
| 输出电容 | 269pF | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±10V | ±20V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT669 | SO-8L-4 | ||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 69A | 32A | ||||
| 系列 | - | 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA | ||||
| 输入电容 | 4604pF | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2289pF @ 40V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 51nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 14.7mΩ@20A,10V | 11mΩ | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 300,000 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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BUK9Y15-100E,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 N-Channel 14.7mΩ@20A,10V 195W -55°C~175°C ±10V 100V 69A |
￥4.1789
|
300,000 | 当前型号 | ||||||
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SQJ402EP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 83W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SO-8L-4 N-Channel 32A 11mΩ 2V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SQJ402EP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 83W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SO-8L-4 N-Channel 32A 11mΩ 2V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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