BUK6Y33-60PX 与 SQJ457EP-T1_GE3 区别
| 型号 | BUK6Y33-60PX | SQJ457EP-T1_GE3 | ||||
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| 唯样编号 | A3n-BUK6Y33-60PX | A36-SQJ457EP-T1_GE3-1 | ||||
| 制造商 | Nexperia | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 30A LFPAK56 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 110W | 68W(Tc) | ||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 100V | ||||
| 产品特性 | 车规 | 车规 | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||
| FET类型 | P-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT669 | PowerPAK® SO-8 | ||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 30A | 36A(Tc) | ||||
| 系列 | - | 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® | ||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 3400pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 100nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 4.5V,10V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 33mΩ@7A,10V | 25mΩ@10A,10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 1 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价(含税) |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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BUK6Y33-60PX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT669 P-Channel 33mΩ@7A,10V 110W -55°C~175°C ±20V 60V 30A 车规 |
¥3.7927
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0 | 当前型号 | ||||||
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PSMP033-60YEX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
LFPAK58 P-Channel 33mΩ@-7A,-10V 110W -65°C~175°C ±20V -60V -30A |
¥5.9948
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0 | 对比 | ||||||
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PSMP033-60YEX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
LFPAK58 P-Channel 33mΩ@-7A,-10V 110W -65°C~175°C ±20V -60V -30A |
¥3.5747
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0 | 对比 | ||||||
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SQJ457EP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 60V 36A(Tc) ±20V 68W(Tc) 25mΩ@10A,10V -55°C~175°C(TJ) PowerPAK® SO-8 N-Channel 100V 车规 |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||
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SQJ457EP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 60V 36A(Tc) ±20V 68W(Tc) 25mΩ@10A,10V -55°C~175°C(TJ) PowerPAK® SO-8 N-Channel 100V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SQJA61EP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
PowerPAK® SO-8L Single -55°C~175°C -54.5A 12.1mΩ@-10A,-10V -60V 68W ±20V P-Channel 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |