BUK9Y19-100E,115 与 SQJ114ELP-T1_GE3 区别
| 型号 | BUK9Y19-100E,115 | SQJ114ELP-T1_GE3 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3n-BUK9Y19-100E,115 | A-SQJ114ELP-T1_GE3 | ||||
| 制造商 | Nexperia | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 封装/外壳 | SOT669 | PowerPAK® SO-8L | ||||
| 功率耗散Pd | 167W | 115W | ||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C | ||||
| 连续漏极电流Id | 56A | 58A | ||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||
| 输入电容 | 3814pF | - | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 18mΩ@15A,10V | 12.1mΩ@15A,10V | ||||
| 输出电容 | 222pF | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±10V | ±20V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 300,000 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BUK9Y19-100E,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 N-Channel 18mΩ@15A,10V 167W -55°C~175°C ±10V 100V 56A |
¥2.8613
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300,000 | 当前型号 | ||||||
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SQJ114ELP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.1mΩ@15A,10V ±20V PowerPAK® SO-8L -55°C~175°C 58A 100V 115W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SQJ402EP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 83W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SO-8L-4 N-Channel 32A 11mΩ 2V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SQJ114ELP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.1mΩ@15A,10V ±20V PowerPAK® SO-8L -55°C~175°C 58A 100V 115W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SQJ402EP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 83W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SO-8L-4 N-Channel 32A 11mΩ 2V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |