BUK9Y19-100E,115 与 SQJ402EP-T1_GE3 区别
| 型号 | BUK9Y19-100E,115 | SQJ402EP-T1_GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BUK9Y19-100E,115-CN | A3t-SQJ402EP-T1_GE3 |
| 制造商 | Nexperia | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56 | SQJ402EP Series 100 V 32 A SMT Automotive N-Channel Mosfet - PowerPAK® SO-8L |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 167W | 83W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | 100V | 2V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| 输出电容 | 222pF | - |
| 栅极电压Vgs | ±10V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT669 | SO-8L-4 |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 56A | 32A |
| 系列 | - | 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 | 3814pF | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2289pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 51nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 导通电阻Rds(On) | 18mΩ@15A,10V | 11mΩ |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BUK9Y19-100E,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 N-Channel 18mΩ@15A,10V 167W -55°C~175°C ±10V 100V 56A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SQJ114ELP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.1mΩ@15A,10V ±20V PowerPAK® SO-8L -55°C~175°C 58A 100V 115W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SQJ402EP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 83W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SO-8L-4 N-Channel 32A 11mΩ 2V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SQJ114ELP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.1mΩ@15A,10V ±20V PowerPAK® SO-8L -55°C~175°C 58A 100V 115W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SQJ402EP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 83W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SO-8L-4 N-Channel 32A 11mΩ 2V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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