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SQS415ENW-T1_GE3  与  BUK6Q12-40PJ  区别

型号 SQS415ENW-T1_GE3 BUK6Q12-40PJ
唯样编号 A3-SQS415ENW-T1_GE3 A-BUK6Q12-40PJ
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 未分类
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 62.5W -
漏源极电压Vds -40V -
产品特性 车规 -
Qg-栅极电荷 82 nC -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 PowerPAK-1212-8W -
连续漏极电流Id -16A -
工作温度 -55°C~175°C -
通道数量 1 Channel -
配置 Single -
导通电阻Rds(On) 16.1mΩ@-12A,-10V -
库存与单价
库存 3,000 60
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQS415ENW-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK-1212-8W -40V -16A 16.1mΩ@-12A,-10V ±20V 62.5W -55°C~175°C P-Channel 车规

暂无价格 3,000 当前型号
BUK6Q12-40PJ Nexperia 未分类

暂无价格 60 对比

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