SQD25N06-22L_GE3 与 IRFR1205PBF 区别
| 型号 | SQD25N06-22L_GE3 | IRFR1205PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SQD25N06-22L_GE3 | A-IRFR1205PBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 55 V 107 W 65 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 107W(Tc) |
| 产品特性 | 车规 | - |
| 漏源极电压Vds | - | 55V |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252 | D-Pak |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 44A |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1300pF @ 25V |
| 导通电阻Rds(On) | - | 27mΩ@26A,10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 65nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SQD25N06-22L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 车规 |
暂无价格 | 2,000 | 当前型号 | ||||||
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BUK9219-55A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 17.6mΩ@10V,19mΩ@5V,20mΩ@4.5V 114W 175°C 1.5V 55V 55A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
STD30NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 22,500 | 对比 | ||||||
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NTD24N06LT4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 未分类 |
￥4.979
|
515 | 对比 | |||||||
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|
STD30NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
IRFR1205PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 107W(Tc) 27mΩ@26A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 55V 44A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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