SQ9945BEY-T1_GE3 与 SH8K32TB1 区别
| 型号 | SQ9945BEY-T1_GE3 | SH8K32TB1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SQ9945BEY-T1_GE3 | A3-SH8K32TB1 |
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 3.9mm | - |
| 上升时间 | 2.8ns,2.8ns | - |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Qg-栅极电荷 | 12nC,12nC | - |
| 栅极电压Vgs | 1.5V | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | 12S,12S | - |
| 封装/外壳 | SO-8 | 8-SOIC |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 5.4A | 4.5A |
| 配置 | Dual | - |
| 长度 | 4.9mm | - |
| 下降时间 | 1.7ns,1.7ns | - |
| 导通电阻Rds(On) | 45mΩ | 65mΩ@4.5A,10V |
| 高度 | 1.75mm | - |
| 功率耗散Pd | 4W | 2W |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| 典型关闭延迟时间 | 17ns,17ns | - |
| FET类型 | - | 2N-Channel |
| 系列 | SQ | - |
| 通道数量 | 2Channel | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 470pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V | - |
| 栅极电荷Qg | - | 10nC@5V |
| 典型接通延迟时间 | 6ns,6ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2,500 | 2,200 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SQ9945BEY-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 5.4A 4W 45mΩ 60V 1.5V SO-8 车规 |
暂无价格 | 2,500 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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SH8K32TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A 2N-Channel 65mΩ@4.5A,10V ±20V 2W 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
￥13.8916
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8K32TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A 2N-Channel 65mΩ@4.5A,10V ±20V 2W 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
￥9.1321
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8K32TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A 2N-Channel 65mΩ@4.5A,10V ±20V 2W 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
暂无价格 | 2,200 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8K32TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A 2N-Channel 65mΩ@4.5A,10V ±20V 2W 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
￥9.1321
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988 | 对比 | ||||||||||||||||
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IRF7341TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
50mΩ@4.7A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 55V 4.7A ±20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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