SQ4184EY-T1_GE3 与 AUIRF7805QTR 区别
| 型号 | SQ4184EY-T1_GE3 | AUIRF7805QTR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SQ4184EY-T1_GE3 | A-AUIRF7805QTR |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 3.9mm | - |
| 上升时间 | 30ns | - |
| 产品特性 | 车规 | 车规 |
| Qg-栅极电荷 | 110nC | - |
| 栅极电压Vgs | 20V | ±12V |
| 正向跨导 - 最小值 | 78S | - |
| 封装/外壳 | SO-8 | SO8 |
| 连续漏极电流Id | 29A | 13A(Ta) |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 配置 | Single | - |
| 长度 | 4.9mm | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V |
| 下降时间 | 15ns | - |
| 导通电阻Rds(On) | 3.6mΩ | 11mΩ@7A,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 高度 | 1.75mm | - |
| 功率耗散Pd | 7.1W | 2.5W(Ta) |
| 漏源极电压Vds | 40V | 30V |
| 典型关闭延迟时间 | 43ns | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 系列 | SQ | - |
| 典型接通延迟时间 | 15ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 31nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2,500 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQ4184EY-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
40V 29A 3.6mΩ 20V 7.1W N-Channel -55°C~175°C 车规 SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 当前型号 |
|
AUIRF7805QTR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 13A(Ta) ±12V 2.5W(Ta) 11mΩ@7A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SO8 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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