SQ2303ES-T1_GE3 与 BSS315P H6327 区别
| 型号 | SQ2303ES-T1_GE3 | BSS315P H6327 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SQ2303ES-T1_GE3 | A-BSS315P H6327 |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 1.9W(Tc) | 0.5W |
| 宽度 | 1.60mm | - |
| 漏源极电压Vds | 1.5V | -30V |
| 产品特性 | 车规 | 车规 |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55℃~150℃ |
| 连续漏极电流Id | 2.5A | -1.5A |
| 系列 | SQ | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 210pF @ 25V | - |
| 长度 | 2.9mm | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6.8nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 370mΩ | 270mΩ@-1.1A,-4.5V |
| 高度 | 1.45mm | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQ2303ES-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.9W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 2.5A 370mΩ 1.5V 车规 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 |
|
BSS315PH6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
P 通道 -55°C~150°C(TJ) 车规 SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSS315P H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
车规 SOT-23 P-Channel 0.5W 270mΩ@-1.1A,-4.5V -55℃~150℃ ±20V -30V -1.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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