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VB30100C-E3/4W  与  NTSB30100CTG  区别

型号 VB30100C-E3/4W NTSB30100CTG
唯样编号 A3t-VB30100C-E3/4W A3t-NTSB30100CTG
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SBD肖特基二极管 未分类
描述 VB30100C Series 100 V 30 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
二极管配置 - 1 对共阴极
电流-平均整流(Io)(每二极管) - 15A
反向电压Vr 100V -
不同 Vr时的电流-反向漏电流 - 500µA @ 100V
不同If时的电压-正向(Vf) - 850mV @ 15A
封装/外壳 TO-263AB D2PAK-3
反向漏电流Ir 500uA -
工作温度 -40°C~150°C -
反向峰值电压Vrrm 100V -
正向电压Vf 0.8V -
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) - 100V
正向电流If 30A -
二极管类型 - 肖特基
速度 - 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
正向浪涌电流Ifsm 160A -
工作温度-结 - -40°C ~ 150°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
VB30100C-E3/4W Vishay  数据手册 SBD肖特基二极管

TO-263AB 160A 100V 100V 30A 0.8V 500uA -40°C~150°C

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NTSB30100CTG ON Semiconductor 未分类

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