SIHFR9214-GE3 与 FQD4P25TM_WS 区别
| 型号 | SIHFR9214-GE3 | FQD4P25TM_WS |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHFR9214-GE3 | A3t-FQD4P25TM_WS |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET |
| 描述 | P-Channel 250 V 2.1 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 2.1 Ohms@1.55A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 250V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.5W(Ta),45W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | - | DPAK |
| 连续漏极电流Id | - | 3.1A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | QFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 420pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 14nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHFR9214-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
|
|
FQD4P25TM_WS | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
3.1A(Tc) ±30V 2.5W(Ta),45W(Tc) 2.1 Ohms@1.55A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK P-Channel 250V 3.1A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
