SIHFR9120-GE3 与 IRFR912096/IRFR91209 区别
| 型号 | SIHFR9120-GE3 | IRFR912096/IRFR91209 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHFR9120-GE3 | A3t-IRFR912096/IRFR91209 |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | TO-252 | - |
| 连续漏极电流Id | 5.6A(Tc) | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 600 mOhms @ 3.4A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W,42W | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHFR9120-GE3 | Vishay | 功率MOSFET |
5.6A(Tc) P-Channel 600 mOhms @ 3.4A,10V 2.5W,42W TO-252 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||
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FQD8P10TM | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-252-2 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||
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FQD8P10TM | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-252-2 |
￥3.124
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2,090 | 对比 | ||||||||
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IRFR9120PBF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRFR912096/IRFR91209 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRFR9120 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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