SQD19P06-60L_GE3 与 NTD20P06LG 区别
| 型号 | SQD19P06-60L_GE3 | NTD20P06LG |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SQD19P06-60L_GE3 | A3t-NTD20P06LG |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 65W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 55mΩ@-19A,-10V | 150 毫欧 @ 7.5A,5V |
| 漏源极电压Vds | -60V | 60V |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 46W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 5V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | -20A | 15.5A(Ta) |
| 系列 | SQ | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1490pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 41nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1190pF |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 26nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SQD19P06-60L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 46W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 P-Channel -60V -20A 55mΩ@-19A,-10V 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
AUIRFR5305TR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
55V 3.1A 65mΩ 20V 110W P-Channel -55°C~175°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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NTD20P06LG | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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NTDV20P06LT4G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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