SQD19P06-60L_GE3 与 AUIRFR5305TR 区别
| 型号 | SQD19P06-60L_GE3 | AUIRFR5305TR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SQD19P06-60L_GE3 | A-AUIRFR5305TR |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 6.22mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 55mΩ@-19A,-10V | 65mΩ |
| 上升时间 | - | 66ns |
| 产品特性 | 车规 | 车规 |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| 封装/外壳 | TO-252 | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | -20A | 3.1A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 6.5mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 下降时间 | - | 63ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1200pF @ 25V |
| 高度 | - | 2.3mm |
| 漏源极电压Vds | -60V | 55V |
| Pd-功率耗散(Max) | 46W(Tc) | 110W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 39ns |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 系列 | SQ | - |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1490pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 41nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 14ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 63nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQD19P06-60L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 46W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 P-Channel -60V -20A 55mΩ@-19A,-10V 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
AUIRFR5305TR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
55V 3.1A 65mΩ 20V 110W P-Channel -55°C~175°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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NTD20P06LG | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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NTDV20P06LT4G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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