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SIRA02DP-T1-GE3  与  FDMS7660AS_F065  区别

型号 SIRA02DP-T1-GE3 FDMS7660AS_F065
唯样编号 A3t-SIRA02DP-T1-GE3 A3t-FDMS7660AS_F065
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 未分类
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 -
功率耗散Pd 5W(Ta),71.4W(Tc) -
连续漏极电流Id 50A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -
漏源极电压Vds 30V -
Vgs(最大值) +20V,-16V -
导通电阻Rds(On) 2 mOhms @ 15A,10V -
Vgs(th) 2.2V @ 250uA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIRA02DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

50A(Tc) N-Channel 2 mOhms @ 15A,10V 5W(Ta),71.4W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 当前型号
TPH1R403NL,L1Q(M Toshiba  数据手册 通用MOSFET

8-SOP Advance N-Channel 64W 1.4mΩ@30A,10V 150°C ±20V 30V 60A

¥3.324 

阶梯数 价格
20: ¥3.324
100: ¥2.652
1,250: ¥2.376
2,500: ¥2.232
5,000: ¥2.124
6,372 对比
TPH1R403NL,L1Q(M Toshiba  数据手册 通用MOSFET

8-SOP Advance N-Channel 64W 1.4mΩ@30A,10V 150°C ±20V 30V 60A

暂无价格 2 对比
TPH1R403NL,L1Q(M Toshiba  数据手册 通用MOSFET

8-SOP Advance N-Channel 64W 1.4mΩ@30A,10V 150°C ±20V 30V 60A

暂无价格 0 对比
FDMS7660AS_F065 ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比
FDMS8662 ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比

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