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SQJ402EP-T1_GE3  与  BUK9Y15-100E,115  区别

型号 SQJ402EP-T1_GE3 BUK9Y15-100E,115
唯样编号 A3t-SQJ402EP-T1_GE3 A-BUK9Y15-100E,115
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 SQJ402EP Series 100 V 32 A SMT Automotive N-Channel Mosfet - PowerPAK® SO-8L MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 83W(Tc) 195W
漏源极电压Vds 2V 100V
产品特性 车规 -
输出电容 - 269pF
栅极电压Vgs ±20V ±10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SO-8L-4 SOT669
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 32A 69A
系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2289pF @ 40V -
输入电容 - 4604pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
导通电阻Rds(On) 11mΩ 14.7mΩ@20A,10V
库存与单价
库存 0 20
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
5+ :  ¥16.3203
100+ :  ¥12.0891
750+ :  ¥8.9549
1,500+ :  ¥7.7869
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQJ402EP-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 83W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SO-8L-4 N-Channel 32A 11mΩ 2V 车规

暂无价格 0 当前型号
BUK9Y19-100E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 18mΩ@15A,10V 167W -55°C~175°C ±10V 100V 56A

¥2.8613 

阶梯数 价格
1,500: ¥2.8613
3,000: ¥2.7468
300,000 对比
BUK9Y15-100E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 14.7mΩ@20A,10V 195W -55°C~175°C ±10V 100V 69A

¥4.1789 

阶梯数 价格
1,500: ¥4.1789
3,000: ¥4.0117
300,000 对比
BUK9Y19-100E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 18mΩ@15A,10V 167W -55°C~175°C ±10V 100V 56A

¥4.26 

阶梯数 价格
20: ¥4.26
100: ¥3.552
750: ¥3.228
1,500: ¥3.096
1,500 对比
BUK9Y19-100E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 18mΩ@15A,10V 167W -55°C~175°C ±10V 100V 56A

¥12.062 

阶梯数 价格
5: ¥12.062
100: ¥8.9348
750: ¥6.6184
1,500: ¥5.7551
118 对比
BUK9Y15-100E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 14.7mΩ@20A,10V 195W -55°C~175°C ±10V 100V 69A

¥16.3203 

阶梯数 价格
5: ¥16.3203
100: ¥12.0891
750: ¥8.9549
1,500: ¥7.7869
20 对比

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