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SQJ114ELP-T1_GE3  与  BUK9Y19-100E,115  区别

型号 SQJ114ELP-T1_GE3 BUK9Y19-100E,115
唯样编号 A3t-SQJ114ELP-T1_GE3 A36-BUK9Y19-100E,115
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® SO-8L SOT669
功率耗散Pd 115W 167W
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C
连续漏极电流Id 58A 56A
漏源极电压Vds 100V 100V
输入电容 - 3814pF
导通电阻Rds(On) 12.1mΩ@15A,10V 18mΩ@15A,10V
输出电容 - 222pF
栅极电压Vgs ±20V ±10V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 0 1,500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥4.26
100+ :  ¥3.552
750+ :  ¥3.228
1,500+ :  ¥3.096
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQJ114ELP-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

12.1mΩ@15A,10V ±20V PowerPAK® SO-8L -55°C~175°C 58A 100V 115W N-Channel

暂无价格 0 当前型号
BUK9Y19-100E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 18mΩ@15A,10V 167W -55°C~175°C ±10V 100V 56A

¥2.8613 

阶梯数 价格
1,500: ¥2.8613
3,000: ¥2.7468
300,000 对比
BUK9Y19-100E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 18mΩ@15A,10V 167W -55°C~175°C ±10V 100V 56A

¥4.26 

阶梯数 价格
20: ¥4.26
100: ¥3.552
750: ¥3.228
1,500: ¥3.096
1,500 对比
BUK9Y19-100E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 18mΩ@15A,10V 167W -55°C~175°C ±10V 100V 56A

¥12.062 

阶梯数 价格
5: ¥12.062
100: ¥8.9348
750: ¥6.6184
1,500: ¥5.7551
118 对比
BUK9Y19-100E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 18mΩ@15A,10V 167W -55°C~175°C ±10V 100V 56A

暂无价格 0 对比
BUK9Y12-100E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 12mΩ@25A,5V 238W -55°C~175°C ±10V 100V 85A

¥9.4573 

阶梯数 价格
1,500: ¥9.4573
0 对比

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