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SQJ190ELP-T1_GE3  与  BUK9Y65-100E,115  区别

型号 SQJ190ELP-T1_GE3 BUK9Y65-100E,115
唯样编号 A3t-SQJ190ELP-T1_GE3 A-BUK9Y65-100E,115
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - SOT669
工作温度 - 175°C
连续漏极电流Id - 19A
漏源极电压Vds - 100V
输入电容 - 1142pF
Pd-功率耗散(Max) - 64W
Rds On(max)@Id,Vgs - 63.3mΩ@10V,65mΩ@5V
输出电容 - 96pF
栅极电压Vgs - 1.7V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQJ190ELP-T1_GE3 Vishay 未分类

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