SQS660CENW-T1_GE3 与 BUK9M20-60ELX 区别
| 型号 | SQS660CENW-T1_GE3 | BUK9M20-60ELX | ||
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| 唯样编号 | A3t-SQS660CENW-T1_GE3 | A-BUK9M20-60ELX | ||
| 制造商 | Vishay | Nexperia | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | BUK9M20-60EL/SOT1210/mLFPAK | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散(最大值) | - | 79.4W(Tc) | ||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||
| 产品特性 | 车规 | 车规 | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2941 pF @ 25 V | ||
| FET类型 | - | N 通道 | ||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 56 nC @ 10 V | ||
| 封装/外壳 | PowerPAK 1212-8W | SOT1210 | ||
| 等级 | - | 汽车级 | ||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.1V @ 1mA | ||
| 资质 | - | AEC-Q100 | ||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 21 毫欧 @ 15A,10V | ||
| Vgs(最大值) | - | ±10V | ||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4.5V,10V | ||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 40A(Ta) | ||
| 漏源电压(Vdss) | - | 60 V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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SQS660CENW-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
车规 PowerPAK 1212-8W |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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BUK7M12-60EX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1210 N-Channel 12mΩ@10V 75W 175°C 3V 60V 53A |
￥6.1768
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7,500 | 对比 | ||||||||
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BUK9M20-60ELX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT1210 -55°C~175°C(TJ) N 通道 车规 |
￥4.3961
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0 | 对比 | ||||||||
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BUK9M15-60EX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1210 N-Channel 13mΩ@10A,10V 75W -55°C~175°C ±10V 60V 47A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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BUK7M12-60EX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1210 N-Channel 12mΩ@10V 75W 175°C 3V 60V 53A |
￥2.3725
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0 | 对比 | ||||||||
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BUK9M20-60ELX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT1210 -55°C~175°C(TJ) N 通道 车规 |
￥2.6214
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0 | 对比 |
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