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FDC606P_G  与  SI3447CDV-T1-GE3  区别

型号 FDC606P_G SI3447CDV-T1-GE3
唯样编号 A3t-FDC606P_G A3t-SI3447CDV-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述 Si3447CDV Series P-Channel 12 V 36 mOhm Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TSOT-23-6
连续漏极电流Id - 7.8A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 36 mOhms @ 6.3A,4.5V
漏源极电压Vds - 12V
Pd-功率耗散(Max) - 2W(Ta),3W(Tc)
Vgs(最大值) - ±8V
Vgs(th) - 1V @ 250uA
FET类型 - P-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDC606P_G ON Semiconductor 未分类

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SI3447CDV-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

7.8A(Tc) P-Channel 36 mOhms @ 6.3A,4.5V 2W(Ta),3W(Tc) TSOT-23-6 -55°C~150°C 12V

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