FDN327N_NL 与 SI4825DDY-T1-GE3 区别
| 型号 | FDN327N_NL | SI4825DDY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDN327N_NL | A-SI4825DDY-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET |
| 描述 | Si4825DDY Series P-Channel 30 V 12.5 mOhm 5 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 12.5mΩ |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.7W(Ta),5W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±25V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | - | SOIC-8 |
| 连续漏极电流Id | - | 10.9A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2550pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 86nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 10 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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FDN327N_NL | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SI4825DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 14.9A(Tc) ±25V 2.7W(Ta),5W(Tc) 12.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 30V 10.9A 12.5mΩ |
暂无价格 | 10 | 对比 |
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