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FDD4141_F085  与  SQD50P04-13L_GE3  区别

型号 FDD4141_F085 SQD50P04-13L_GE3
唯样编号 A3t-FDD4141_F085 A-SQD50P04-13L_GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 40 V 12.3 mOhm 50 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - DPAK SQD50P04-13L Series P-Channel 40 V 13 mOhms 83 W SMT Power Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 12.3m Ohms@12.7A,10V 10mΩ
上升时间 - 12ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 80nC
栅极电压Vgs ±20V 2.5V
正向跨导 - 最小值 - 61S
封装/外壳 DPAK TO-252
连续漏极电流Id 10.8A 50A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
配置 - Single
长度 - 6.73mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 - 16ns
高度 - 2.38mm
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.4W(Ta),69W(Tc) 136W
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 P-Channel -
系列 汽车级,AEC-Q101,PowerTrench® SQ
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2775pF @ 20V 3590pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 10V 90nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 10ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDD4141_F085 ON Semiconductor 通用MOSFET

10.8A(Ta),50A(Tc) ±20V 2.4W(Ta),69W(Tc) 12.3m Ohms@12.7A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK P-Channel 40V 10.8A

暂无价格 0 当前型号
SUD50P04-08-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),73.5W(Tc) 8.1mΩ@22A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252 P-Channel 40V 50A

暂无价格 2,000 对比
SUD50P04-08-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),73.5W(Tc) 8.1mΩ@22A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252 P-Channel 40V 50A

¥5.1474 

阶梯数 价格
2,000: ¥5.1474
110 对比
SUD50P04-08-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),73.5W(Tc) 8.1mΩ@22A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252 P-Channel 40V 50A

暂无价格 0 对比
SQD50P04-13L_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-252 50A 136W 10mΩ 40V 2.5V 车规

暂无价格 0 对比
SQD50P04-13L_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-252 50A 136W 10mΩ 40V 2.5V 车规

暂无价格 0 对比

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