FDD4141_F085 与 SUD50P04-08-GE3 区别
| 型号 | FDD4141_F085 | SUD50P04-08-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDD4141_F085 | A3-SUD50P04-08-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | P-Channel 40 V 12.3 mOhm 50 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - DPAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12.3m Ohms@12.7A,10V | 8.1mΩ@22A,10V |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.4W(Ta),69W(Tc) | 2.5W(Ta),73.5W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | DPAK | TO-252 |
| 连续漏极电流Id | 10.8A | 50A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | 汽车级,AEC-Q101,PowerTrench® | SUD |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2775pF @ 20V | 5380pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 50nC @ 10V | 159nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 2,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDD4141_F085 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
10.8A(Ta),50A(Tc) ±20V 2.4W(Ta),69W(Tc) 12.3m Ohms@12.7A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK P-Channel 40V 10.8A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||
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SUD50P04-08-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),73.5W(Tc) 8.1mΩ@22A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252 P-Channel 40V 50A |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||
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SUD50P04-08-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),73.5W(Tc) 8.1mΩ@22A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252 P-Channel 40V 50A |
￥5.1474
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110 | 对比 | ||||
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SUD50P04-08-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),73.5W(Tc) 8.1mΩ@22A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252 P-Channel 40V 50A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SQD50P04-13L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-252 50A 136W 10mΩ 40V 2.5V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SQD50P04-13L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-252 50A 136W 10mΩ 40V 2.5V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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